国开电大《光伏检测与分析》形考任务作业一、二、三、四试题及参考答案

光伏检测与分析第一次形考任务答案

单项选择题

题目:()对半导体单晶电化学腐蚀速度的影响最大。【答案】腐蚀液的成分

题目:()是半导体中最主要的缺陷,它属于线缺陷。【答案】位错

题目:()是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。【答案】冷热探笔法

题目:()是影响硅器件的成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。【答案】微缺陷

题目:()是最简单的点缺陷。【答案】空位

题目:半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为()。【答案】36%

题目:半导体器件厂就是用一定型号的()来生产出所需要的半导体元件。【答案】单晶

题目:层错属于()。【答案】面缺陷

题目:缓冲剂一般是()。【答案】弱酸弱碱

题目:冷热探笔法属于利用半导体的()来测量导电类型的方法。 【答案】温差电效应

题目:冷热探笔法主要适用于室温电阻率在()的单晶。【答案】1000Ω•cm以下

题目:目前国内外广泛采用()测量半导体硅单晶电阻率。【答案】四探针法

题目:三探针法属于利用半导体的()来测量导电类型的方法。【答案】整流效应

题目:位错密度通常采用()来表示,可在金相显微镜下测定。【答案】面密度

题目:漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷()。【答案】大

题目:漩涡缺陷是晶体中()的局部聚集。【答案】点缺陷

题目:一般认为利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在()的硅单晶。【答案】1～1000Ω•cm

题目:用冷热探笔法测量()半导体时,冷端带负电,热端带正电。【答案】N型

题目:用冷热探笔法测量()半导体时,冷端带正电,热端带负电。【答案】P型

题目:用冷热探笔法测量导电类型时,热探笔的温度要适当,以()为宜。【答案】40～60℃

多项选择题

题目:半导体硅的常用腐蚀剂主要有()。【答案】Dash腐蚀液; Shimmel腐蚀液; Sirtl腐蚀液; Wright腐蚀液

题目:半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有()。【答案】星形结构; 杂质析出; 系属结构

题目:半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有()。【答案】点缺陷; 层错; 杂质沉淀; 位错

题目:半导体晶体缺陷主要包括()。【答案】微观缺陷; 宏观缺陷; 表面机械损伤; 点阵应变

题目:半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的()有直接影响。【答案】晶体管的放大倍数; 开关管的开关时间; 太阳能电池的光电转换效率

题目:测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有()方面。【答案】控制氙灯的闪光电压; 加滤光片; 加光阑

题目:点缺陷主要包括()。【答案】空位; 填隙原子; 外来原子; 络合体

题目:高频光电导衰退法的缺点主要有()。【答案】仪器线路比较复杂; 干扰比较大

题目:高频光电导衰退法的优点主要有()。【答案】样品较少受到污染; 测量时不必制作欧姆电极; 样品无需切割成一定的几何形状; 应用广泛

题目:构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有()。【答案】具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触; 半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中; 电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的; 被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差

题目:国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有()。【答案】单探针点接触整流法; 冷热探笔法; 三探针法; 冷探笔法

题目:目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法,一般主要有()。【答案】直接法; 瞬态法; 稳态法; 间接法

题目:四探针法测量电阻率的测准条件主要有()。【答案】电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化; 一般采用1～2mm左右的针距较适宜; 四根探针应处于同一平面的同一条直线上; 样品的厚度必须大于3倍针距

题目:稳态法测量非平衡少数载流子寿命,主要采用的方法有()。【答案】扩散长度法; 光电导衰退法; 光磁法

题目:下列有关漩涡缺陷的说法正确的是()。【答案】是晶体中点缺陷的局部聚集; 漩涡条纹是不连续的; 由大量的浅蚀坑组成; 在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的

题目:陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用()。【答案】使整个样品加底光照; 将硅单晶加热到50～70℃; 加底光照后用氙灯闪光进行照射

题目:影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有()。【答案】电极电位; 腐蚀液的成分; 腐蚀处理的温度和搅拌的影响; 缓冲剂的影响

题目:用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有()。【答案】两探针法; 四探针法; 范德堡法; 扩展电阻法

题目:直流光电导衰退法的缺点主要有()。【答案】对样品有几何形状和几何尺寸的要求; 要求制备符合一定要求的欧姆接触

题目:直流光电导衰退法的优点主要有()。【答案】可测量几个微秒的寿命; 测量准确度高; 测量下限较低; 测量电阻率的下限也较低

判断题

题目:半导体的陷阱中心数量是变化的。 【答案】错

题目:半导体硅在酸碱中所受到的腐蚀都属于电化学腐蚀。 【答案】对

题目:半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。 【答案】错

题目:被腐蚀的半导体电极电位低的是负极,电极电位高的是正极,正级被腐蚀溶解。 【答案】错

题目:测量半导体硅单晶导电类型时,通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。 【答案】对

题目:当半导体内注入了非平衡载流子后,一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心,另一方面依靠表面能级作为复合中心。 【答案】对

题目:腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。 【答案】对

题目:高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的测量下限一般为10～20μs。 【答案】错

题目:硅单晶在不同腐蚀液中,P型硅的电极电位比N型硅的高。 【答案】对

题目:可以将小角度晶界看成是层错的排列。 【答案】错

题目:位错是半导体中最主要的缺陷。 【答案】对

题目:无论是直流光电导法或高频光电导法测量少数载流子寿命时应满足小注入条件。 【答案】对

题目:漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多,而数量上少两个数量级。 【答案】对

题目:用冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时,热探笔的温度要适当,以40～50℃为宜.【答案】错

题目:用冷热探笔法测量N型半导体时,冷端带负电,热端带正电。 【答案】对

题目:用冷热探笔法测量P型半导体时,冷端带负电,热端带正电。 【答案】错

题目:原生晶体中的漩涡缺陷不容易充分显示,尤其是直拉单晶,经过热处理才变得明显化。【答案】对

题目:在位错密度的两种表示方法中,通常采用位错的体密度来表示。 【答案】错

题目:直流四探针笔法测量电阻率时,假定半导体样品的电阻率是均匀的,并假定它是半无限大的样品。【答案】对

题目:直流四探针笔法测量电阻率时,首先将样品测试面进行研磨或喷砂处理,以增大表面复合,减少少数载流子注入的影响。 【答案】对

配伍题

题目:将下列测量电阻率方法及公式一一对应 【答案】(1) -> A; (2)-> B; (3) -> C”

题目:将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。

(1)HF                           A.70%

(2)HNO3                      B.49%

(3)H2O2                      C.30%  {(1)

【答案】(1) -> B; (2) -> A; (3) -> C

题目:将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。

(1)HCL                        A.冰醋酸

(2)HAc                         B.36%

(3)H2O2                       C.30%

【答案】(3) -> C; (2) -> A; (1) -> B

题目:将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。

(1)宏观缺陷                     A.杂质沉淀

(2)微观缺陷                    B.星形结构

(3)表面机械损伤            C.加工损伤 {(1)

【答案】(1) -> B; (2) -> A; (3) -> C

题目:将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。

(1)样品电阻率<0.01          A.样品电流<100

(2)样品电阻率0.01～1        B.样品电流<10

(3)样品电阻率1～30          C.<1 {(1)

【答案】(1) -> A; (2) -> B; (3) -> C

题目:将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。

(1)样品电阻率>1000           A.样品电流<1

(2)样品电阻率30～1000        B.样品电流<0.1

(3)样品电阻率1～30           C.<0.01 {(3)

【答案】(3) -> A; (2) -> B; (1) -> C

题目:将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。答题框中填写答案对应的选项即可

(1)冷热探笔法               A.10-4～104Ω•cm

(2)整流法                   B.1～1000Ω•cm

(3)两探针法                 C.1000Ω•cm以下

【答案】(1)冷热探笔法 -> C; (3)两探针法 -> A; (2)整流法 -> B”

题目:将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

(1)Sirtl腐蚀液                  A.10～15min

(2)Dash腐蚀液               B.20 min以上

(3)Secco腐蚀液             C.1～16h {(1)

【答案】(1) -> A; (3) -> C; (2) -> B”

题目:将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。

(1)Shimmle腐蚀液             A.10～15min

(2)Wright腐蚀液                 B.20 min以上

(3)Sirtl腐蚀液                      C.5min {(3)

【答案】(3) -> A; (1) -> C; (2) -> B”

题目:将下列微观缺陷种类与说法一一对应。

(1)空位         A.晶格点阵上的原子由于热运动或辐照离开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面

(2)填隙原子       B.占据晶格空隙处的多余原子

(3)络合体           C.空位与杂质原子相结合而形成的复合体 {(1)

【答案】(1) -> A; (2) -> B; (3) -> C”

光伏检测与分析第二次形考任务答案

单项选择题

题目:参比样品应不含有被测杂质,一般要求氧和碳原子含量在()以下。

题目:光图定向法结果直观,操作(),误差()。

题目:硅晶体中,氧的分凝系数()1,碳的分凝系数()1。

题目:红外线通过样品时,对于硅单晶反射率R为()。

题目:晶面间距可用字母d表示,以下哪项表达式为立方晶系的晶面间距()。

题目:抛光时,抛光液HF与体积比为()。

题目:区熔工艺中,第一次区熔时,第一次熔区停留挥发时间()左右。

题目:双光束光栅红外分光光度计,测氧的分辨率应不大于()。

题目:双光束光栅红外分光光度计,测碳的分辨率应不大于()。

题目:为防止污染,第一熔区和最后熔区要离开上下夹头()。

题目:样品对红外光的反射率越(),吸收系数越(),那么红外光的透射率就越小。

题目:样品制备中选择样品厚度的原则是使吸收峰处的透射率为()。

题目:以下表示晶面指数最恰当的是()。

题目:直拉单晶中氧含量头部与尾部相比()。

题目:K系辐射线可以细分为及,他们辐射的强度比约为()。

题目:X射线定向法的误差可以控制在()范围内,准确度高。

题目:X射线剂量用伦琴表示,符号用r,根据国际放射学会议规定,普通人的安全剂量应为每周不超过

题目:X射线在医疗诊断方面得到广泛应用,主要是依赖其()。

多项选择题

题目:90o;60o;30o;0o;

题目:布喇格定律成立需满足以下()条件。

题目:对于金刚石结构和闪锌矿结构的晶体,只有符合以下()规则的晶面才有衍射线。

题目:对于连续X射线谱,当逐渐增加管压时,有如下()规律。

题目:关于晶面指数,以下说法正确的是()。

题目:硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下()。

题目:某样品受到红外线照射时,会产生以下()现象。

题目:抛光时对于样品表面有()要求。

题目:硼检采用快速区熔法的工艺,对与以下区熔条件说法正确的是()。

题目:碳在硅晶格中红外吸收峰有两个,其振动频率为()。

题目:通常用来制作靶的金属材料有()。

题目:为避免引起衍射混乱,一般选用比阳极材料原子序数小的材料做滤光片,以下适宜的是()。

题目:样品加工主要包括以下()步骤。

题目:以下()选项都需要考虑晶体取向的影响。

题目:由于硅晶体经历了各种温度的热处理,过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀,形成了()。

题目:在立方晶系中,主要有如下()性质。

题目:X射线的衍射法精确度高,它受以下()因素影响。

题目:X射线定向仪主要有以下()部分组成。

题目:X射线对人体作用有严重影响,可表现为()。

题目:X射线主要有以下()性质。

判断题

题目:.放射线同位素的量越多,放出的射线的强度越少。

题目:纯水制备系统过程中原水箱回流阀要全关闭。

题目:纯水制备系统要每周检测一次砂滤出水SDI值,若SDI值超过5,就要检查原因。

题目:对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用化学药剂提纯法。

题目:工厂生产的阳离子交换树脂一般为氯型。

题目:硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷

题目:混床交换在再生处理时,阴离子交换树脂和阳离子交换树脂充分混合。

题目:活性炭过滤器在作为反渗透装置的前处理是是受本身进水温度、PH值和有机混合物的影响的。

题目:离子交换法是利用离子一次性交换和树脂一次性交换进行的。

题目:离子交换法制备纯水用一种阴树脂或氧树脂就可得到酸性水或碱性水。

题目:露点法检测气体中的水分是通常测-34℃以下气体观察到的是露点。

题目:气相色谱法测定干法H2的组成存在的环境因素是潜在的氢气泄露引起的燃烧核爆炸。

题目:色谱法基本原理是基于时间的差别进行分离。

题目:树脂失效表明离子交换树脂可供交换的和大为减少。

题目:为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水,阴、阳树脂必须交换出等量的离子。

题目:新树脂使用前应进行预处理:膨胀处理和变形处理。

题目:只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进行日常维护。

题目:制取高纯水时一般采用强碱型阴离子交换树脂。

题目:自动软化系统EBT测定如未软化,测试液呈红色则需再生。

题目:RO系统清洗过程应密切注意清洗液温度上升,不得超过35℃。

配伍题

题目:将下列利用晶体外观来判断晶体生长方向的关系一一对应。

(1) [111]            A)二条轴对称的棱线

(2) [100]            B)三条轴对称的棱线

(3) [110]            C)四条轴对称的棱线 {(1)

题目:将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。

(1)X射线发生部分     A)吸盘

(2)X射线检测部分     B)X射线管

(3)样品台                   C)盖革计数管和计数时率计 {(3)

题目:由于晶胞参数关系,在立方晶体中,某些晶面和晶向是相互垂直的,请一一对应。

(1)[100]晶向          A)[111]晶面

(2)[111]晶向          B)[100]晶面

(3)[110]晶向          C)[110]晶面 {(1)

题目:将下列立方晶系部分晶面间的夹角关系一一对应。

题目:将以下几种晶面腐蚀后的特征一一对应。

题目:红外线通过样品时可根据能量不灭定律表示为。

题目:多晶硅中基硼含量式。

题目:硅中氧和硅原子之间组成非线性。

题目:硅中氧吸收峰的强弱与波长关系,请一一对应。

题目:在实际测量中,求可用如下公式。

光伏检测与分析第三次形考任务答案

单项选择题  

题目:: 1; 3; 2; 5

题目:: 11; 8; 10; 9

题目:超纯水制水处理系统再生部分选择()水泵。

题目:当RO系统暂停使用一周以上时,系统应以()浸泡,防止细菌在膜表面繁殖。

题目:对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量()水解物,对痕量杂质元素有吸附作用。

题目:对三氯氢硅中痕量杂质的分析主要试剂盐酸是优级纯再经()提纯两次。

题目:多介质过滤器制备纯水时,每周要检测一次砂滤出水SDI值,若SDI超过(),则检查原因。

题目:反渗透装置是超纯水治水系统中提纯的()部分。

题目:放射线同位素的量越多,放出的射线的强度()。

题目:离子交换床在工作的任何时候,混床进水压力小于(),否则有机玻璃交换柱会破裂。

题目:离子交换树脂是一种高分子化合物,是由()和活性基团两部分组成。

题目:露点法测定气体中的水分职业中,本岗位存在的危险源是()。

题目:全自动软化过滤器设计过滤体材质选用()。

题目:三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是()法。

题目:三氯氢硅中硼的分析采用()法。

题目:树脂失效表明离子交换树脂可供交换的()大为减少。

题目:通常把线度小于()cm的缺陷称为微缺陷。

题目:以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中,在温度680度和石英石的催化作用下,样品及其含磷杂质分别被氢还原产物()。

题目:制取高纯水时一般采用()交换树脂和()交换树脂。

题目:RO反渗透技术是利用()为动力的膜分离过滤技术。

多项选择题

题目:纯水制备系统运行控制注意事项,以下表述错误的是()。

题目:高纯水的检测时,测量方法有()。

题目:混床的再生中是两种树脂充分混合的方法有()。

题目:混合离子交换器由以下那几个装置组成()。

题目:离子交换法制备纯水时,新树脂的预处理方式是()。

题目:利用X射线形貌图来计算单晶中位错密度常用的方法有()。

题目:露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有()。

题目:露点法测定气体中职业健康安全运行控制正确的是()。

题目:三氯氢硅中硼的分析试剂表述错误的是()。

题目:下列哪三项是天然水的三大杂质()。

题目:一个气相色谱系统包括()。

题目:影响树脂再生的主要因素有()。

题目:质谱分析造成其误差较高的因素有()。

题目:中子活化分析的特点有()。

题目:自动软化系统出现下述情况之一()就必须进行化学清洗。

题目:自动软化系统反洗的目的是()。

题目:自动软化系统工位由()盐箱注水组成。

题目:RO系统清洗时注意事项有()。

题目:RO系统清洗条件有()。

题目:X射线形貌技术的试验方法有()。

判断题 

题目:.放射线同位素的量越多,放出的射线的强度越少。

题目:纯水制备系统过程中原水箱回流阀要全关闭。

题目:纯水制备系统要每周检测一次砂滤出水SDI值,若SDI值超过5,就要检查原因。

题目:对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用化学药剂提纯法。

题目:工厂生产的阳离子交换树脂一般为氯型。

题目:硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷

题目:混床交换在再生处理时,阴离子交换树脂和阳离子交换树脂充分混合。

题目:活性炭过滤器在作为反渗透装置的前处理是是受本身进水温度、PH值和有机混合物的影响的。

题目:离子交换法是利用离子一次性交换和树脂一次性交换进行的。

题目:离子交换法制备纯水用一种阴树脂或氧树脂就可得到酸性水或碱性水。

题目:露点法检测气体中的水分是通常测-34℃以下气体观察到的是露点。

题目:气相色谱法测定干法H2的组成存在的环境因素是潜在的氢气泄露引起的燃烧核爆炸。

题目:色谱法基本原理是基于时间的差别进行分离。

题目:树脂失效表明离子交换树脂可供交换的和大为减少。

题目:为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水,阴、阳树脂必须交换出等量的离子。

题目:新树脂使用前应进行预处理:膨胀处理和变形处理。

题目:只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进行日常维护。

题目:制取高纯水时一般采用强碱型阴离子交换树脂。

题目:自动软化系统EBT测定如未软化,测试液呈红色则需再生。

题目:RO系统清洗过程应密切注意清洗液温度上升,不得超过35℃。

配伍题

题目:6.将下列混床再生中操作步骤一一对应。 

(1)逆洗分层      A.再生剂为5%的NaOH,用量为树脂体积的3-5倍,从上口进入,控制一定流速,维持液面顺流通过

(2)强碱性阴离子交换树脂再生      B.水从底部进入,上口排出,树脂均匀地松弛蓬松开来,可加大水流速以冲不出树脂为原     则,洗至出水清高度

(3)强酸性阳离子交换树脂再生        C.再生剂为5%盐酸,用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍

题目:将下列多介质过滤器工作原理与内容一一对应。 

(1)反洗                A.将原水泵停止,阀门关闭,让多介质自然下沉,使沙层排列平整

(2)静止                B.原水由进口进入控制阀,从阀芯的上部经阀体内,并由顶部进入罐体

(3)正洗                C.水从底部进入石英砂过滤层后由上部排除 {(1)

题目:将下列离子交换树脂的类型与变型用化学试剂用量浓度一一对应。

(1)强酸型离子交换树脂                 A.5%-10%盐酸溶液3000ml

(2)强碱型离子交换树脂                 B. 5%-10%氢氧化钠溶液2500ml

(3)干树脂                  C.4%-5%Nacl溶液浸泡 {(2) 

题目:将下列露点法测定气体中的水分时职业健康安全进行控制一一对应。

(1)危险源                                           A.意把氢气引出室外

(2)分析氢气露点时用大气赶走气    B.液氮低温冻伤 

(3)酒精放置

题目:将下列天然水中杂质三大部分情况一一对应。 

(1)悬浮物质                  A.溶胶、硅胶、铁、铝

(2)胶体物质                 B. 细菌、泥沙、黏土等其他不容物质

(3)溶解物质                 C. Ca 、Mg、Na、Fe、Mn的酸式碳酸盐 {(3)

题目:将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。

(1)杂质不均匀                 A.与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关

(2)各元素电离效率             B.因为质谱分析一次只消耗少量样品,不能代表整个样品杂质含量

(3)谱线黑度                  C.受到很多因素,如离子质量影响 {(1)

题目:将下列自动软化系统工艺过程一一对应。

(1)反洗              A.再生用盐液在一定浓度、流量下,流经失效的树脂层,使其恢复原有的交换能力

(2)再生吸盐+慢洗          B.向再生剂箱中注入溶液再生一次所需盐量的水

(3)再生剂箱注水          C.树脂失效后,在进行再生之前,先用水自上而下流出 {(3)

题目:将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

(1)碳酸盐结垢                   A.1.5%EDTA溶液

(2)有机物污染及硫酸盐结构       B.1%富尔马林溶液

(3)细菌污染                      C.3%柠檬酸溶液 {(1) 

题目:将下列三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的主要试剂与要求一一对应。

题目:将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。

题目:将下列气相色谱法测定干法H2的组分时样品测试各恒温系统与温度一一对应。

光伏检测与分析第四次形考任务答案

单项选择题

题目:: 19; 16; 17; 18

题目:测定的露点是被测气体中水蒸气,随温度的降低而凝结为露的()。

题目:纯水部分所有水泵应选用()。

题目:纯水制备系统混床的再生反洗的目的是()。

题目:对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量()水解物,对痕量杂质元素有吸附作用。

题目:反渗透装置是超纯水治水系统中提纯的()部分。

题目:放射线同位素的量越多,放出的射线的强度()。

题目:工厂生产的阳离子交换树脂一般是()型,阴离子交换树脂一般是()型。

题目:离子交换树脂是一种高分子化合物,是由树脂的骨架和()两部分组成。

题目:露点法测定气体中水分的设备环境要求是保持工作环境高纯卫生,温度4-40度,相对湿度小于(),现场整洁,无腐蚀性气体,不得有电路和火种。

题目:气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是()。

题目:全自动软化系统逆洗时进口水压维持在()bar左右,以利冲洗。

题目:人们通常将水分为纯水和()。

题目:三氯氢硅中硼的分析采用()法。

题目:树脂失效表明离子交换树脂可供交换的()大为减少。:

题目:以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中,在温度680度和石英石的催化作用下,样品及其含磷杂质分别被氢还原产物()。

题目:制取高纯水时一般采用()交换树脂和()交换树脂。

题目:质谱的定量分析是在质谱图上,谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了()从而进行杂质分析。

题目:RO反渗透技术是利用()为动力的膜分离过滤技术。

多项选择题

题目:高纯水的检测时,测量方法有()。

题目:混床的再生具体操作步骤正确的是有()。

题目:混床的再生中是两种树脂充分混合的方法有()。

题目:离子交换法制备纯水时,新树脂的预处理方式是()。

题目:利用X射线形貌图来计算单晶中位错密度常用的方法有()。

题目:露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有()。

题目:气相色谱法测定H2的组分时职业健康安全运行控制正确的是()。

题目:三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定主要试剂表述错误的有()。

题目:树脂的再生时混合方法有()。

题目:下列哪三项是天然水的三大杂质()。

题目:一个气相色谱系统包括()。

题目:以下DUI纯水制备系统中多介质过滤器注意事项叙述错误的是()。

题目:质谱分析造成其误差较高的因素有()。

题目:中子活化分析的特点有()。

题目:自动软化系统出现下述情况之一()就必须进行化学清洗。

题目:自动软化系统反洗的目的是()。

题目:自动软化系统注意事项下述叙述正确的是()。

题目:RO系统清洗过程中RO膜污染原因与使用药剂搭配错误的是()。

题目:RO系统清洗时注意事项有()。

题目:X射线形貌技术的试验方法有()。

判断题 

题目:纯水制备系统反渗透系统要把浓水调节阀和进水调节阀完全关闭。

题目:纯水制备系统过程中原水箱回流阀要全关闭。

题目:纯水制备系统在日常维护中,每次反洗时先用压缩空气使滤料充分松动,并且要把控制阀选到对应位置才能开启原水增压泵。

题目:对三氯氢硅中硼的分析采用蒸发法。

题目:放射线同位素的量越多,放出的射线的强度越少。

题目:工厂生产的阴离子交换树脂一般为钠型。

题目:硅单晶中线度小于10-4cm的缺陷称为微陷。

题目:混床交换在再生处理时,阴离子交换树脂和阳离子交换树脂充分混合。

题目:离子交换床在工作的任何时候,混床进水压力小于160℃.

题目:离子交换法制备纯水用阴树脂可以得到高纯水。

题目:露点法检测气体存在的危险是氢气泄露引起的燃烧核爆炸。

题目:气相色谱法测定干法H2的组成存在的环境因素是潜在的液氮低温冻伤。

题目:色谱法基本原理是基于时间的差别进行分离。

题目:树脂的生交换柱内离子交换树脂失效后,在再生前必须首先对树脂进行短时间的强烈反冲。

题目:树脂再生混合时要求注入蒸馏水至高出离子交换树脂10cm左右,然后混合。

题目:为了使氢离子和氢氧根离子完全结合成水,阴、阳树脂必须交换出等量的离子。

题目:新树脂使用前应进行预处理:膨胀处理和变形处理。

题目:只有多介质过滤器处于运行时才能对活性炭过滤器进行日常维护。

题目:制取高纯水时一般采用强酸型阳离子交换树脂。

题目:RO系统清洗过程应密切注意清洗液温度上升,不得超过35℃。

配伍题 

题目:将下列分析项目与分析方法一一对应。

(1)三氯氢硅中硼的分析                 A.基于时间的差别进行分离

(2)三氯氢硅中痕量磷的气相色谱测定      B.自然挥发法

(3)X射线形貌技术

-> B”

题目:将下列混床树脂再生步骤与内容一一对应。

(1)逆流分层                    A.由入酸口将6%-10%的盐酸溶液,流入柱内,严格控制流过阳离子交换树脂层的流速,使其在0.5-1h内流完

(2)碱液再生阴离子交换树脂      B.对树脂进行短时间的强烈反冲,使阴阳离子交换树脂充分分层

(3)酸液再生阴离子交换树脂      C.由入碱口或入水口将2-3倍阴离子交换树脂体积的4%-6%的NaOH溶液注入柱内,控制流速,使其在15-30min流完 {(1)

题目:将下列混床再生中操作步骤一一对应。 

(1)逆洗分层                      A.再生剂为5%的NaOH,用量为树脂体积的3-5倍,从上口进入,控制一定流速,维持液面顺流通过

(2)强碱性阴离子交换树脂再生      B.水从底部进入,上口排出,树脂均匀地松弛蓬松开来,可加大水流速以冲不出树脂为原     则,洗至出水清高度

(3)强酸性阳离子交换树脂再生        C.再生剂为5%盐酸,用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍

题目:将下列活性炭过滤器工作原理一一对应。

(1)反洗                  A.向下穿过过滤料层,经下布水器收集返回中心。管

(2)运行                  B.原水由进水口进入控制阀,从阀芯的上部经阀体内,并由顶部进入罐体

(3)正洗                  C.水从底部进入活性炭过滤层后由上部排出 {(1)

题目:将下列离子交换树脂的类型与变型用化学试剂用量浓度一一对应。

(1)强酸型离子交换树脂                 A.5%-10%盐酸溶液3000ml

(2)强碱型离子交换树脂                 B. 5%-10%氢氧化钠溶液2500ml

(3)干树脂                  C.4%-5%Nacl溶液浸泡 {(3)

题目:将下列天然水中杂质三大部分情况一一对应。

(1)悬浮物质                  A.溶胶、硅胶、铁、铝

(2)胶体物质                 B. 细菌、泥沙、黏土等其他不容物质

(3)溶解物质                 C. Ca 、Mg、Na、Fe、Mn的酸式碳酸盐 {(1)

题目:将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。

(1)杂质不均匀                 A.与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关

(2)各元素电离效率             B.因为质谱分析一次只消耗少量样品,不能代表整个样品杂质含量

(3)谱线黑度                  C.受到很多因素,如离子质量影响 {(3)

题目:将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。

(1)碳酸盐结垢                   A.1.5%EDTA溶液

(2)有机物污染及硫酸盐结构       B.1%富尔马林溶液 

(3)细菌污染                      C.3%柠檬酸溶液 {(1) 

题目:将下列三氯氢硅中的硼的分析试剂一一对应。

题目:将下列气相色谱法测定干法H2的组分时样品测试各恒温系统与温度一一对应。